下列不属于第三代半导体材料的有（不属于第三代半导体的材料有哪些）
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第三代半导体材料有哪些?
1、氮化镓（GAN）是第三代半导体材料的典型代表，在T=300K时为，是半导体照明中发光二极管的核心组成部份。
2、如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
3、第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。
宽禁带与超宽禁带半导体电是集成吗?
1、宽禁带与超宽禁带半导体电不是集成的。根据查询相关公开信息可知：宽禁带与超宽禁带半导体电是继硅和砷化镓之后的第三代半导体材料，不属于集成。
2、宽禁带与超宽禁带半导体电是集成的。根据查询半导体集成路得知，宽禁带和超宽禁带半导体是集成电路，半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
3、这得看你是在研究生阶段还是本科生阶段的学习，如果是在本科阶段，因为学得都很基础，所以微电子与集成电路和集成系统方向的内容基本没有任何的差别，三个方向都可以统称为微电子方向，自动化与电气工程方面不了解。
4、世纪初出现的第三代半导体包含氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物，又被称为宽禁带半导体，也被简称为“三代半”。
5、导电性：禁带宽度决定了半导体的电导率。禁带宽度越宽，半导体的电导率越低，即半导体越不导电。相反，禁带宽度越窄，电导率越高，半导体越容易导电。这使得半导体器件可以在不同的导通和截止状态之间切换。
半导体材料的各项特征不包括什么?
不属于半导体的基本特性是杂敏性。半导体具有特性有：可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。
构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。
半导体主要具有三大特性：热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。
半导体的特征：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。
半导体材料的特性：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。
第一代、第二代、第三代半导体材料分别是?
最早的半导体材料以硅（包括锗）为主。随着信息发展，人们需求的增加，出现了以砷化镓（GaAs）等为代表的半导体材料，算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS)，碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。
半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅、锗等所形成的半导体，后者为砷化镓、氮化镓、碳化硅等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化。
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类材料，半导体材料经历了三个发展阶段，不同阶段出现的材料被称为第一代、第二代、第三代半导体材料。第一代半导体又称为“元素半导体”，典型如硅基和锗基半导体。
需要说明的是，第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域，应用范围有所交叉，但不是完全等同。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，氮化镓（GaN）是第三代半导体材料之一。
