n型半导体（n型半导体的多数载流子是电子）

本文目录一览：

• 1、N型半导体、P型半导体具体指的是什么?
• 2、什么是n型半导体什么是p型半导体?
• 3、P型半导体、N型半导体、PN结
• 4、n型半导体带什么电
• 5、P型半导体和N型半导体怎么区分?
• 6、在本征半导体中加入什么元素可形成n型半导体

N型半导体、P型半导体具体指的是什么?

P型半导体：也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。

什么是n型半导体什么是p型半导体?

1、在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。

2、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

3、半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。

4、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

5、P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

6、N型半导体是在硅材料里掺入微量三价元素，它们形成共价键后由于缺少一个电子而形成空穴型的半导体。而P型半导体是在硅材料里掺入微量的五价元素，它们形成共价键后还多出一个电子而形成电子型半导体。

P型半导体、N型半导体、PN结

在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

纯净半导体中掺入微量的杂质元素，形成的半导体称为杂质半导体。半导体根据掺入的杂质元素的不同，可以分为P型半导体和N型半导体。

第一，P型半导体和N型半导体都是不带电的 对外成电中性。

n型半导体带什么电

P型带正电，N型带负电 o(∩_∩)o 如果我的回答对您有帮助，记得采纳哦，感激不尽。求采纳为满意

半导体内还有不可移动的电荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了；在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。半导体是中性物。

半导体-百度百科 您好！这种说法是错的 不论是P型还是N型半导体，它们本身是不带电的，也就是保持电中性。区别只是载流子的浓度不同，P型中的空穴浓度大于自由电子浓度，N型恰恰相反。

这句话是对的。由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体和N型半导体怎么区分?

1、n-type和p-type半导体区别为：是多数载流子不同、导电效果不同、常温电导率不同。是多数载流子不同 n-type半导体：n-type半导体的多数载流子是电子。p-type半导体：p-type半导体的多数载流子是空穴。

2、导电特性不同 P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

3、主要依靠导带电子导电的半导体称之为N型半导体，也即是电子型半导体。主要依靠空穴导电的半导体称之为P型半导体，也即是空穴型半导体。

4、N型和P型半导体之间的主要区别在于它们的电导率和电荷载流子。半导体的电导率由其电荷载流子的密度和迁移率决定。在N型半导体中，掺杂过程引入的额外电子是主要的电荷载流子。

5、在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体：也称为空穴型半导体。

6、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在本征半导体中加入什么元素可形成n型半导体

1、本征半导体中加入磷、锑、砷元素可形成N型半导体，加入的都是5价元素。

2、加入五价元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。

3、在本征半导体中掺入微量的五价元素，形成n型半导体。本征半导体中掺入微量的五价元素，构成N型半导体。每个杂质原子都能提供一个自由电子，使半导体中的自由电子数量大大增加，导电能力也大大加强。

4、n型半导体是由本征半导体中加入五价元素得到的。以增加半导体中的自由电子浓度而得到的。这些五价元素有5个价电子，其中4个价电子参与共价键形成晶体结构，而剩余的一个价电子则不与原子成键，成为自由电子。

5、在本征半导体中掺入5价的元素可以得到n型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为n型半导体。

6、本征半导体是纯净半导体，而N型半导体是杂质半导体，亦即非本征半导体。N型半导体是在纯净的硅晶体中掺入ⅤA族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶体中硅原子的位置而形成的。