第三代半导体材料特点（第三代半导体材料的典型代表是什么）
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第一代、第二代、第三代半导体材料分别是?
最早的半导体材料以硅（包括锗）为主。随着信息发展，人们需求的增加，出现了以砷化镓（GaAs）等为代表的半导体材料，算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS)，碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。
常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等；掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅、锗等所形成的半导体，后者为砷化镓、氮化镓、碳化硅等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化。
第三代半导体材料特点及资料介绍
氮化镓是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。
有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
第三代半导体前景
1、新洁能在第三代半导体领域中拥有6项专业授权的知名企业，第三代半导体的市场规模扩大，发展前景好，5G基站成为了新基建，数据中心逐渐建立新的体系，光伏和储能的装机量都在不断增加，而无线快充，新能源汽车的发展。
2、年第三代半导体整体市场规模有望超过900亿元。
3、近年，“第三代半导体”在多个领域崭露头角，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为主的第三代化合物半导体已然成为产业端、投资界及各地政府的宠儿，这得益于其自身优秀的物理特性及产业端的快速拉动。
4、第三代半导体正引起一场清洁能源和电子技术的重大革命。电动车行业领导企业特斯拉在Model 3电动车中，将碳化硅MOSFET器件用在 汽车 主驱动控制器上，以达到降低传导和开关损耗的目标，从而延长续航里程。
5、年无线基础设施是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，占比约50%，其次为国防军事应用，市场占比约为43%。更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
6、值此背景下，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。
氮化镓有哪些特点?可以制造哪些器件
氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的变压器，让充电器可以有效缩小产品尺寸。
氮化镓是一种新兴的半导体材料，它具有高电子迁移率、高电导率和高热稳定性等特性。氮化镓可以用于制造高效率的LED和高功率半导体器件。此外氮化镓还可以应用于航空航天、国防、通讯等领域。
材料质量：氮化镓五代相对于三代来说，在晶体品质方面有所提升，晶格缺陷更少，可以制备出更高质量的氮化镓材料。 设备尺寸：氮化镓五代具备更大的晶片尺寸，能够生长更大直径的衬底。
宽能带隙：氮化镓具有较宽的能带隙，这使其能够处理高功率电子器件，同时也能够产生蓝光和紫外光，因此在照明和光电子器件中非常有用。
目前包括蓝宝石，碳化硅，硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。其中蓝宝石基氮化镓外延片只能用来做LED；硅基氮化镓可以做功率器件和小功率的射频；碳化硅基本氮化镓可以制造大功率LED、功率器件和大功率射频芯片。
