1、您好,SIC是碳化硅,主要应用于钢铁冶炼、陶瓷烧制、耐火材料、太阳能光伏组件、磨具磨料、电子、化工等。
2、化工第六元素就是石墨烯。石墨烯(Graphene)是一种由碳原子以sp2杂化方式形成的蜂窝状平面薄膜,是一种只有一个原子层厚度的准二维材料,所以又叫做单原子层石墨。
3、金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。
4、SiC是共价键很强的化合物,SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。因此,SiC强度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl、HNOH2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。
5、余热是指受历史、技术、理念等的局限性,在已投运的工业耗能装置中,原始设计未被合理利用的显热和潜热。余热的回收利用途径很多。一般说来,综合利用余热最好,其次是直接利用,再次是间接利用(如余热发电)。
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类材料,半导体材料经历了三个发展阶段,不同阶段出现的材料被称为第一代、第二代、第三代半导体材料。第一代半导体又称为“元素半导体”,典型如硅基和锗基半导体。
碳化硅材料是迄今发展最成熟的第三代半导体的核心,与氮化镓、金刚石、氧化锌共同组成新一代半导体材料。
从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是SiC和GaN半导体材料,而氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)——并称为第三代半导体材料的双雄。
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄,由于性能不同,二者的应用领域也不相同。
我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。 从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。
最早的半导体材料以硅(包括锗)为主。随着信息发展,人们需求的增加,出现了以砷化镓(GaAs)等为代表的半导体材料,算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS),碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。
常见的半导体材料有硅(si)、锗(ge),化合物半导体,如砷化镓(gaas)等;掺杂或制成其它化合物半导体材料,如硼(b)、磷(p)、锢(in)和锑(sb)等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类,前者如硅、锗等所形成的半导体,后者为砷化镓、氮化镓、碳化硅等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化。
半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类材料,半导体材料经历了三个发展阶段,不同阶段出现的材料被称为第一代、第二代、第三代半导体材料。第一代半导体又称为“元素半导体”,典型如硅基和锗基半导体。
半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。