1、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H_气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl_+H_→Si+HCl。
2、多晶硅生产工艺流程是石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。
3、还原尾气干法回收装置;其他包括分析、检测仪器,控制仪表,热能转换站,压缩空气站,循环水站,变配电站,净化厂房等。
多晶硅生产工艺流程如下:石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,其化学反应SiO_+C→Si+CO_↑。为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。
制造太阳能电池片的过程中需要进行光刻、腐蚀、沉积等步骤,以制备出具有良好光电转换性能的太阳能电池片。最后,将太阳能电池片组装成太阳能电池板,即可用于太阳能发电。
净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。
)研发的流化床(FBR)反应器粒状多晶硅天生的工艺技术,将是生产太阳能级多晶硅首选的工艺技术。
1、工业粗硅氯化制备四氯化硅 目前,SiCl4的工业制备方法,一般是采用直接氯化法,将工业粗硅在加热条件下直接与氯反应制得SiCl4。
2、SiCl4+4NH3===Si3N4+12HCl 可以看到氮化硅中两种元素的化合价没有发生改变,所以这个反应不是氧化还原反应,所以氯和氢直接结合成氯化氢。
3、净化干燥后的氢气送入氢气贮罐,然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。电解制得的氧气经冷却、分离液体后,送入氧气贮罐。出氧气贮罐的氧气送去装瓶。
4、国内外现有的多晶硅厂尽大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2,硅烷法——硅烷热分解法 硅烷(SiH4)是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
5、目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。一般说来,由于三氯氢硅还原法具有一定优点,目前比较广泛的被应用。
1、(2)熔化:加完多晶硅原料于石英埚内后,长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内,然后打开石墨加热器电源,加热至熔化温度(1420℃)以上,将多晶硅原料熔化。
2、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺,以高纯的SiHCl3在H气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl+H→Si+HCl。
3、晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。
4、HPM清洗:由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。DHF清洗:去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。
5、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。
6、直拉单晶硅生产过程中的拆炉流程是在收尾完成后停炉6个小时左右的时间进行的,正常情况下是取出晶体,对炉内的挥发物进行清除,并用酒精擦洗。
制造太阳能电池片的过程中需要进行光刻、腐蚀、沉积等步骤,以制备出具有良好光电转换性能的太阳能电池片。最后,将太阳能电池片组装成太阳能电池板,即可用于太阳能发电。
多晶硅生产工艺流程如下:石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,其化学反应SiO_+C→Si+CO_↑。为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。
多晶硅生产工艺流程是石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。
石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅,其化学反应SiO+C→Si+CO↑。为了满足高纯度的需要,必须进一步提纯。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
主要工艺是:将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃,流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注进,在石墨管内壁1500℃高温处反应天生液体状硅,然后滴进底部,温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。