宽禁带半导体材料与器件（宽禁带半导体器件研究现状与展望）
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半导体材料的应用及发展趋势
1、半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。 半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。
2、镓在半导体应用及其未来发展在电子器件、光电子器件、太阳能电池等领域。
3、半导体材料在电子通信、光电通信、能源领域、生物医学等领域中都有着广泛的应用。因此，半导体材料专业的毕业生在这些领域中有着广阔的就业前景。其次，随着国内半导体产业的发展和壮大，对于半导体材料专业的人才需求也越来越高。
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1、因此，半导体研究生所获得的知识和技能往往能够为他们在就业市场上找到更好的机会。半导体研究生的就业前景很广，大多数企业都需要半导体领域的专业技术人员。
2、首先是个不错的选择。在中国半导体发展史上，从未有过像今天这样辉煌的阶段。毕业后我加入了半导体行业。现在回想起来，我做了正确的选择。现在国内半导体行业可以说是百花齐放，跳槽涨薪不难。
3、非常好，这个专业的ZnO半导体在国内乃至国外都是顶尖水平，就业前景很好。
哪些是宽禁带半导体器件
氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。
氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言，氮化镓拥有更宽的带隙，宽带隙也意味着，氮化镓能比硅承受更高的电压，拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下，氮化镓比硅的效率高出不少。
宽禁带材料吧，比如SiC、GaN、金刚石等等。什么是宽禁带材料：众所周知，电子要想突破原子核束缚成为自由电子，是需要能量的。Si材料大约需要12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料 需要3eV左右的能量。
、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
氮化镓（GaN），是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2eV，又被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。
禁带宽度对于半导体器件有什么影响呢?
半导体的禁带宽度是其电子能级结构中的一个关键特征，它对半导体的电子导电性和用途产生重要影响。禁带宽度较小的半导体通常是导电性较高的，而禁带宽度较大的半导体通常是绝缘体或电阻体。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作为温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。
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半导体研究生的就业前景很广，大多数企业都需要半导体领域的专业技术人员。其中，大型集成电路设计公司、芯片制造企业、半导体设备供应商以及研究机构等是半导体研究生的主要就业方向。
您好，很高兴为您解半导体材料研究生就业待遇；一般年薪超过30万元，而且还有一次性十几万元的人才补贴。
非常好，这个专业的ZnO半导体在国内乃至国外都是顶尖水平，就业前景很好。
国内需要大量高技术人才，是很好就业的。前景。宽禁功率半导体器件封装集成读博前景好，毕业之后可就业于化工能源公司、半导体电子类公司、物理类行业、也可在材料研究所或高校就业，就业前景广阔。
就业前景：挺不错的 主要是从事于：本科毕业，可在多晶硅（化工能源公司）、半导体（电子类公司）、物理、材料类、无损检测（探伤、压力容器厂家）等行业就业。研究生毕业，可在材料研究所或高校就业。
