n型掺杂（n型掺杂什么元素）
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【半导体基础/器件】11掺杂的化学键解释+能带图解释(非本征半导体)_百度...
1、不是所有的掺杂都是有效的，因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分，磷硼没有缔结成四价键，而是三价，这时候还是不会导电，也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应，不是简单的混合，这种技术只有欧美有。
2、杂质浓度：杂质浓度越高，掺杂原子越多，费米能级越靠近掺杂原子的能级，禁带宽度缩小； 掺杂类型：不同的杂质原子掺入半导体中，对费米能级的位置有不同的影响。
3、半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。
4、与掺杂无关。P型半导体：在本征半导体中掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围原子形成共价键后还多余一个空穴，因此使空穴的浓度远大于自由电子的浓度。
5、半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和积体电路的电子材料。
单晶硅晶向100n型掺杂的什么
单晶硅是用多晶硅为原料生产的，生产时需要掺入一定量的硼、磷、砷、锑等杂质。多 晶硅是超高纯的单质硅，纯度在6N以上，也就是说，99．9999％以上都是硅，其杂质还不 足百万分之一。
硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。导电类型 导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷，外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。
压力敏和力敏传感器、位置传感器、液位传感器、能耗传感器、速度传感器、加速度传感器、射线辐射传感器、热敏传感器。按原理 振动传感器、湿敏传感器、磁敏传感器、气敏传感器、真空度传感器、生物传感器等。
高硅片。单晶硅晶向100平行参考面是一个平面，是高硅片特属的。单晶硅通常指的是硅原子以一种排列形式形成的物质。
砷化镓是通过具体什么方式成为p型和n型半导体的?
1、n型半导体是通过引入施主型杂质而形成的。在纯半导体材料中掺入杂质，使禁带中出现杂质能级，若杂质原子能给出电子的，其能级为施主能级，该半导体为n型半导体。
2、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。
3、N型半导体 N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
4、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
5、把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。
