半导体图片（半导体图片高清）

本文目录一览：

• 1、谁能解释下mos管的正向性是什么意思?
• 2、半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别是什么?
• 3、什么是晶元,是什么形状?最好是有图片给我看下,谢谢!
• 4、三极管是什么样子的?求图片
• 5、普瑞芯片和三安芯片有什么区别吗?

谁能解释下mos管的正向性是什么意思?

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

（1）正向偏置时（即栅极与发射结正对）：三极管从发射区吸收能量而使基极电位降低至零值以下；同时由于反向击穿而使发射结失去单向导电性变为短路而呈现阻断态。

mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。

一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

信号切换用MOS管： UG比US大3V---5V即可，实际上只要导通即可，不必须饱和导通。比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。电压通断用MOS管： UG比US应大于10V以上，而且开通时必须工作在饱和导通状态。

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别是什么?

半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别 ①材料来源方面的区别 以硅工艺为例，一般把整片的硅片叫做wafer，通过工艺流程后每一个单元会被划片，封装。在封装前的单个单元的裸片叫做die。

wafer——晶圆 chip——芯片 die——晶粒 老实说，chip和die的中文翻译的确都是芯片，但是两者却有着极大地不同，所以在半导体行业，尤其是封测行业大家更多的把die称之为晶粒。

Die： 一片Wafer上的一小块晶片晶圆体称为Die。由于Die size的不同，一片Wafer所能容纳的Die数量不同。Die一般由封装厂对Wafer进行切割而得。Die其实是死亡的英文，至于为什么叫这个我也不知道。

wafer为晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片基于wafer上生产出来。Wafer上一个小块晶片晶圆体学名die，封装后成为一个颗粒。

半导体中名词“wafer”“chip”“die”。半导体是通常由硅组成的材料产品，其导电性比玻璃之类的绝缘体高，但比铜或铝之类的纯导体导电性低。

半导体光芯片或者电芯片，最早都是一盘子做出来，在一个wafer上，或者叫晶元、晶圆。无论是光模块里的激光器芯片、探测器芯片、驱动器电芯片，都是一盘一盘的做出来的。

什么是晶元,是什么形状?最好是有图片给我看下,谢谢!

晶元（Wafer），是生产集成电路所用的载体，多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼，经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶 晶元硅棒，单晶硅棒经过抛光、切片之后，就成为了晶元。

晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆简介 晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。

LED芯片晶元的特点是生产芯片，不做封装的，所以封装工艺的优劣对LED影响也很大。LED芯片普瑞的特点是功率集成芯片，一般都是用在泛光灯上，在面光源领域非常有优势。

CREE（科锐）的芯片最好认了，其采用碳化硅衬底，结构非常好认，单电极。通常情况下我们所说的单电极兰光芯片都是CREE的。其他双电极类的兰光芯片可通过电极外观来识别。晶元的芯片，电极中间对称，并且P电极有两条小尾巴。

内存卡是用钛合金属制作成的，是需要用大剪刀去剪成方块形状，然后放一个芯片就可以了。

三极管是什么样子的?求图片

1、三极管图片如下：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

2、E发射极，C集电极，B基极 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面。可有pnp和npn两种组合。

3、它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

4、三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

5、发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里。

6、三极管作用：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。在放大电路中的三极管有三种基本的放大电路，既是共发射极放大器，共集电极放大器和共基极放大器，它还可以组成多级放大器等许多放大电路。

普瑞芯片和三安芯片有什么区别吗?

1、三安芯片的设计和制造也非常先进，采用了类似于普瑞芯片的极小纳米制造工艺。而普瑞芯片市面上的普瑞芯片存在大量的假冒伪劣产品，使用这些产品会导致稳定性差、光衰大、寿命短等问题。

2、三安光源和瑞普光源对比：三安光源是国产光源，瑞普光源是进口光源。国产三安光源的成本要更低普瑞光源的外观比较美观，产品尺寸精度、表面比国内三安光源要高。进口普瑞光源和国产三安光源的光学性能也有所不同。

3、普瑞芯片好，他在性能方面提升比较大，它使用的是全新一代的处理器。不论在综合性能表现还是在续航方面都有一定提升，因为它的能耗。在新一代的表现中测得了很低的量。所以他的实际使用效率会更加高。

4、普瑞和科锐是一个级别的晶元和国内的三安是一个级别的单纯从芯片上来说，普瑞比晶元做得好。但很多时候受封装工艺影响，不一定芯片好，效果就好。