直拉法生长单晶硅的原理（直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段）

本文目录一览：

• 1、单晶硅生长炉的原理简介
• 2、直拉单晶硅工艺技术
• 3、直拉法单晶生长的特点是什么?
• 4、单晶炉采用哪种拉制方法拉制单晶?
• 5、直拉法拉出的硅棒尾部切除后需要怎么处理,能作为籽晶下次拉单晶时候使用...

单晶硅生长炉的原理简介

1、sic晶体生长炉原理是将晶体原料放置于炉体中，而晶体原料在通过一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化，形成特定线度尺寸晶体。

2、基本原理：多晶体硅料经加热熔化，待温度合适后。经过骸籽晶浸入，熔接，引晶，放肩，转肩，等经，收尾等步骤，完成一根单晶锭的拉制。

3、化学气相沉积原理。碳化硅同质外延生长炉是通过化学气相沉积原理，利用台阶生长模式，在高温、低压工艺环境下，在单晶衬底上获得一定厚度和掺杂浓度的高质量同质外延材料的专用设备。

4、单晶硅生长炉1是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。

直拉单晶硅工艺技术

1、直拉法单晶硅工艺流程包括原料准备、切割硅锭、清洗切片、晶体生长、加工单晶硅棒、清洗单晶硅棒和检验单晶硅等步骤。这个工艺需要高纯度的硅锭和一系列复杂的设备和工艺。

2、直拉单晶硅工艺技术是一种用于制备高纯度单晶硅的方法。是半导体产业中非常重要的工艺之一，用于制造太阳能电池、集成电路等器件。在直拉单晶硅工艺中，通过化学方法从冶炼过程中获得的多晶硅材料进行初步提纯。

3、直拉单晶硅的制备工艺一般包括原材料的准备，参杂剂的选择时应坩埚的选取。籽晶和籽晶定向，装炉熔硅种经缩径放间。等径收尾和停炉阶段。

4、在Fz单晶中掺入氮可提高其强度。工艺特点 大直径生长，比直拉硅单晶困难得多，要克服的主要问题是熔区的稳定性。这可用“针眼技术”解决，在FZ法中这是一项重大成就。另一项重大成就是中子嬗变掺杂。

5、一般用直拉法拉制单晶硅，其工艺：是装料，熔化，种晶，缩颈，放肩，等径，收尾，完成。就可以拉出单晶硅棒了。

直拉法单晶生长的特点是什么?

1、直拉法生长多是采用液相掺杂，受杂质分凝、杂质蒸发，以及坩埚污染影响大，直拉法生长的单晶硅掺杂浓度的均匀性较差。

2、直拉法可以拉制大直径的单晶硅，目前最大直径可达450mm。直拉法拉制出的硅单晶中氧和碳的含量较大。

3、直拉法又称为切克劳斯基法，它是1918年由切克劳斯基（Czochralski）建立起来的一种晶体生长方法，简称CZ法。

4、单晶硅是由单一籽晶生长的单晶体硅材料，它具有晶格完整、缺陷和杂质很少等特点。根据单晶硅生长方式进行分类，可将其分为区熔单晶硅（FZ-Si）和直拉单晶硅（CZ-Si），其中所涉及的工艺为区熔法和直拉法。

5、得到所需取向的晶体；（4）较快的生长速度和较短的生长周期。直拉法是生产lC电路所用硅片的常用方法。熔硅放在石英增竭里面，因为石英导致氧进入熔硅，因而单晶硅有高的氧含量。直拉法又分为非磁场拉晶法和磁场拉晶法。

单晶炉采用哪种拉制方法拉制单晶?

1、直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状晶种（称籽晶）浸入融液中。

2、直拉法制备单晶硅原理：将多晶硅通过热场加热，融化成熔融状态，通过控制热场将液面温度控制在结晶的临界点，通过液面上方的单晶籽晶从液面向上提拉，溶硅随着籽晶的提拉上升按照籽晶的晶向生长出单晶硅圆。硅的单晶体。

3、在单晶炉中将高纯多晶硅加热融化。并在单晶炉中形成一定的温度梯度场，而且保持熔融的硅页面违规惊奇的特定凝固键，在江子君归影像熔融的硅页面，然后一边旋转一边提拉熔融，就在同一方向凝固生长得到单晶硅棒。

4、单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。

直拉法拉出的硅棒尾部切除后需要怎么处理,能作为籽晶下次拉单晶时候使用...

切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。

热应力造成的滑移线一般的预防措施是改善热场分布，改善拉速，控制温度曲线等。机械应力引发的外延滑移线一般预防措施是提高倒角面的加工水平，不出伤痕。

多晶铸锭目前有两种方法，其一：浇铸法，简单地说也就是先在一个坩埚内将硅料熔化，然后浇铸在另一个经过预热的坩埚内进行冷却，通过控制冷却速率采用定向凝固技术铸造多晶硅锭。