第三代半导体材料在光电子器件（第三代半导体材料在光电子器件电力电子器件）
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什么是第三代半导体?包你能看懂
第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。
第三代半导体主要是氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石为代表的材料，这类半导体更多应用于未来5G时代的发展。氮化镓往往应用于小功率器件，比如现有的快充充电器。
氧化镓什么意思?
1、氧化镓是一种无机化合物，化学式为GaO。别名三氧化二镓，是一种宽禁带半导体，Eg=9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。
2、氢氧化镓是化学物质，分子式是Ga(OH)。
3、氧化镓是第四代半导体的代表性材料，具有击穿电场强度更高、导通电阻更低、电子饱和速率更高、抗辐照能力更强等优点，被视为新兴半导体光电产业的核心材料，是国际前沿研发的重中之重。锗，广泛应用的半导体材料。
4、镓是两性金属，既能溶于酸（产生Ga3+）也能溶于碱。镓在常温下，表面产生致密的氧化膜阻止进一步氧化。加热时和卤素、硫迅速反应，和硫的反应按计量比不同产生不同的硫化物。镓的毒性是和生物的种类相关的。
第三代半导体能否走出“芯”天地?
第三代半导体是以宽禁带为标志，决定了它的制造难度不可能比前两代低，暂且不说它能否制成各种功能的替代芯片，就是生产同样功能的器件，第三代半导体对制造工艺和设备的要求也不可能更低，成本也难以更低。
未来，在市场规模趋势方面，我国第三代半导体行业将持续保持高速增长；在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长，GaN应用场景将进一步拓展；在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。
相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。
第三代半导体?
第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。
近年，“第三代半导体”在多个领域崭露头角，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为主的第三代化合物半导体已然成为产业端、投资界及各地政府的宠儿，这得益于其自身优秀的物理特性及产业端的快速拉动。
深圳第三代半导体研究院是由深圳市国有资产投资控股有限公司出资成立的企业，因此它是一个国有企业。
当然第四点相比硅基半导体的奋起直追，中国在碳化硅第三代半导体上与国外发展水平基本持平，衬底方面天科合达等实现了4英寸的产业化和6英寸的技术突破，并积极向8英寸推进；山东天岳等公司拥有相应的外延生长技术。
国产替代进程、技术创新。随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性，国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升，进一步推动国产替代进程。
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